jisaowang 发表于 2013-1-9 23:10
直接用聚焦离子束沉积几十纳米宽的金属导线到flash区阿，所有那些保护机制都可以绕过。即使你的芯片有什 ...

有点不明白：在液氮温度下，保护机制失效了，那么其他有用的信息是否也跟着失效了？
在液氮温度下，保护机制失效是否因为超导的缘故？

jisaowang 发表于 2013-1-9 22:50
开盖，聚焦离子束直接搭线到程序存储区，只要你出够钱，没什么破不了的。。。。 ...

高端芯片对这个是有防范的。会部署传感器，存储区也是扰乱的。
当然，理论上都是可破解的，而且，一般破解时间都会早于芯片厂家发布或预期的时间

rmdyj 发表于 2013-1-21 19:11
有点不明白：在液氮温度下，保护机制失效了，那么其他有用的信息是否也跟着失效了？
在液氮温度下，保护 ...

不是因为超导，是因为低温下RAM数据消失的速度随温度降低而延长，一般-50度就能撑住十几分钟了，如果有保护熔丝和保护电路直接短接绕过，让这部分逻辑电路跳过即可。
FLASH之类的都是大片的堆积的，想要读出数据搞定熔丝并不困难，而解密关键的RAM数据因为低温可以长时间保存也可以在这低温保存的情况下想办法读出。

长姿势了，强帖留名~

看来这里专业级的高手 很多 ，那就咨询 一下 这里 的高手 ： ACTEL以及 STM的ST32 ST33智能卡芯片号称EAL6+级别的产品 能否破解？我想芯片设计者必然 也可以是个破解者，破解者能想到的办法设计者必然也想到了 ，所以对高安全等级的芯片如MAXQ、ST32里面增加了反 破解传感器、打乱布线等方法来反破解。