双向可控硅过零检测与导通角的问题

2020-01-22 12:03发布

利用双向可控硅调压的问题,程序给出的导通角表跟可控制的导通脚是怎样的关系,由于本人不懂这可控硅的导通角与调压的关系上网查了些资料也没能搞明白,哪位热心高手能帮忙解决一下的,感激不尽,最好讲祥细点!
使用外部X1中断,寄存器组2
  检测过〇点,给定时器T1赋初值
--------------------------------------*/
void pass0(void) interrupt 2 using 2
{
unsigned char code powertab[]={0xd8,0xf0,0xe2,0x63,0xe5,0x25,0xe8,0x3e,0xeb,0x16,0xed,0xda,0xf0,0xb2,0xf3,0xcb,0xf7,0x8d,0xf7,0x8d};//10个功率档位的可控硅导通角延时参数表
TH1=powertab[2*heatpower]-1;
TL1=powertab[2*heatpower+1];    //市电过零后,根据当前设置的档位给定时器T1赋延时参数
ET1=1;                          //允许定时器T1中断
TR1=1;                          //打开定时器T1
}

/*------------------------------------------
  可控硅触发信号控制函数 void triacctrl(void)
  使用定时器T1中断,寄存器组3
  向可控硅送出触发信号
------------------------------------------*/
void triacctrl(void) interrupt 3 using 3
{
register unsigned char i;
triac=0;                        //输出可控硅导通信号
ET1=0;                          //关闭定时器T1中断
TR1=0;                          //终止定时器运行
for (i=0;i<2;i++);              //延时,保证导通信号有足够的宽度
triac=1;                        //完成可控硅导通信号
}
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56条回答
huayuliang
1楼-- · 2020-01-27 13:30
回复【30楼】astankvai  陈超
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对,和幅度没有关系。。。只是导通角度决定了半个周期内剩余时间的可控硅的开启点的幅度,这个电压幅值和负载大小决定了开启时的电流。


回复【24楼】pcbboy  
这双向可控硅这么频繁的10ms需要触发一次,如果中间丢失一个触发脉冲就会闪,多丢几个就不亮,单片机都给10ms占用了,如果是红外线遥控(解码需要最少15ms)之类的程序就没法调光了,有什么方法可以解决这个问题啊,我用51没找到好的解决方法,请大家指点!
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看来你才学单片机不久,分开时间处理就是了。中断还有优先级呢。。。
采用多任务方式~~
kenson
2楼-- · 2020-01-27 13:55
楼上说得非常的好,其实我也做过这一类的产品只是我是用CPLD来做的。
有一路交流脉冲用来检测同步的,准确度还是不错的。
aahui
3楼-- · 2020-01-27 14:45
回复【18楼】lang6027
调光还是调压哦,过零要做到隔离还有高精度的还真有点麻烦,最近弄调光的,就是过零弄了有好多天时间,要求过零脉冲尽量的窄,最好在us级别的,然后又要元器件少,外壳体积有限,还是隔离的(因为mcu部分的供电是开关电源),刚开始用运放,唉很容易受干扰,最后参考了老外的电路,精辟3个三极管加几个电阻电容搞定了,过零脉冲在200us左右
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那个老外电路能公布下吗?
txzy_xzw
4楼-- · 2020-01-27 15:05
 精彩回答 2  元偷偷看……
wenjin0386
5楼-- · 2020-01-27 20:04
mark
lwcumt
6楼-- · 2020-01-27 20:06
mark,可控硅!

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