其实当自举电容=22UF，Rdel=10k，电压为24V的时候，整个过程调试过程我的板子正常运行过，就是因为我把22uf/36V的自举电容(钽电容，并且这时候Rdel=10K)换成2uf/100v的电容(电容是MLCC,Rdel=10k)时侯就出现了24V驱动时候烧掉4082的问题，我为什么要把22uf/36V的电容换成2UF/100V的电容呢，因为我想上60v的高压供电。本人想这个自举电容太小，但是手头100V耐压的电容只有2uf的。还有就是当我把自举电容变小后，应该也调一下死区时间。我的死区时间有点小

如果PWM频率在1K以上，2微法自举电容就足够了。自举电容的耐压大于16V就可以，和电机供电电压无关，倒是二极管的耐压要足够。如果PWM频率不高的话Rdel可适当大些。

元器件耐压这一块基本上没问题，我用的续流二极管和自举升压二极管都是ES2D，pwm频率我给TMC262的的CP脉冲频率大概是16K（经过TMC262的16细分后大概是1K多点），CP来16个脉冲，就相当于两相四线制步进电机走一个1.8角度，你说的PWM频率是指的什么频率。

现在想来想去主要还是那个自举电容的大小和Rdel大小的调整，我先前C=47uf，Rdel=10k，24v电压完全没有一点问题，电机可以转动,但是我现在把C换成2uf，Rdel不管是10K还是100K都是烧，现在有一点不明白，死区时间大造成输出波形容易失真，但是不至于烧东西啊。哎，现在想：理论不搞透，搞技术搞不到哪。

1.凑凑热闹，我也在用HIP4081A，当HIP4081A产生驱动信号时，总会影响到供电电源，电源供电情况是：24V通过LM2576HV转成12V，12V再通过LM2596转成5V。PWM由atmega16L产生，频率大概是16kHz，占空比50%。调试过程中一直排除，下图是在不接任何MOSFET的前提下获得，第一个是对12V的影响，第二第三个图是对5V的影响（补充一下，如果加上MOSFET的话，毛刺会更严重），外部的电容换过0.1u和0.22u的CBB电容，甚至换过4.7u的电解电容，毛刺基本没变化。12V的电源上加过多个大电容和小电容，但是依然没有效果。

(原文件名:电源毛刺.jpg)
2.在使用手册里面看到有类似的说明，难道不能避免吗？个人感觉应该可以通过外部元件的配置避免的，以下是使用手册的说明和自己电路的外部元件图（外围元件的参数参考HIP4081A的application note AN9405）。

(原文件名:bootstrap.jpg)

(原文件名:外围电路.jpg)
3.问：请问大家，这问题的解决方案，我现在另外在想更换芯片，HIP4082是否存在一样的现象？谢谢...