少用，
均衡使用

WXF_mabg 发表于 2014-2-11 13:07
磨损均衡有相应的算法吗 请问

STM32应用笔记中有一个算法。用内部FLASH的。

网上转的     


  向EEPROM种写入数据实际上是一个烧写的过程，对EEPROM具有一定的破坏性，因此一个EEPROM单元的擦写的次数是有限的。具体的擦写次数视不同厂家、不同系列的芯片决定。Microchip公司的PIC16F876A内部EEPROM的擦写次数为100万次（数据文档记录），对于一些不需要频繁改变的参数而言完全满足需求，但是当用在固定的4字节存放流量的积累时，是不能满足要求的。因为，在综合考虑各种因素后，如果要求流量计在运行时每10s存放1次累积量，则EEPROM能安全运行1*1000000/(360*24)=117天，不能满足要求，必须采用一定的方法延长EEPROM的寿命。
       我采用的方法是在EEPROM中开辟一段空间滚动存放累积量，具体实现的方法是：将EEPROM中地址0--160的单元滚动存放累积量，每4字节为一组，共40组，每组连续存放50次（根据需要改动），然后再一组中存放。当第40组连续存放50次后，再回到第一组开始存放。由于全局变量Savetime记录在某一组连续存放的数据，EEPROM中的地址为0单元用于存放当前累积量有效值所在组的首地址，当某一组连续存放50次，滚入下一组时更新存放地址的值，实现函数如下：
void ee_Cumulation_write(double data)
{
  SaveTime++;//同一组位置连续存的次数
  if(SaveTime>50)
  {
  SaveTime=0;
  SaveAddr+=4;//转到下一组位置
  if(SaveAddr>157) SaveAddr=1;
  eeprom_write(0,SaveAddr);//EEPROM位置0存放当前累积量的首地址
  }
  ee_double_write(SaveAddr,data);//存放累积量
}       

如果8K的EEPROM,而只用1K，那么8个块循环写。EEPROM中记录读写的次数。