请教:我用单片机控制可控硅调压,控制可控硅的导通角:
当外部中断接到同步信号(50hz)中断后,中断方式:边沿触发,那么是不是1S内应该中断100次,但可控硅是整流器件,在正向电压时才导通,那么1S内应该导通的波头有50个。
如果控制导通角的话,是不是应该在每个周期的高电平(即10MS)处开始延时控制导通角,我想问的是:当外部中断0中断的时候,如果中断的是下降沿,单片机收到的是低电平,这个时候肯定不能延时导通,这个时候应该如何处理?是延时吗等下一个中断吗?可我用的是外部中断0,是不是也要做判断高电平或低电平?还是如何处理。请高手指教 。谢谢!!!!!!!!能否给一个编程思路
可控硅控制电路
(原文件名:22222222222222222.JPG)
int_ser:
bts0 ac_in
jmp @f
bset f_l
bts1 f_h
jmp int_ser20
bclr f_h
jmp int_ser10
@@:
bset f_h
bts1 f_l
jmp int_ser20
bclr f_l
int_ser10:
bclr f_open
clr time_delay
clr time_open
int_ser20:
bts0 f_open ;开可控硅标志
jmp int_ser60
incms time_delay
mov a,time_delay
sub a,delay_ref ;等多久才开
bts1 fc
jmp int_ser90
clr time_delay
int_ser70:
bclr out
bset f_open
jmp int_ser90
int_ser60:
incms time_open
mov a,time_open ;开多长时间
sub a,#10
bts1 fc
jmp int_ser90
clr time_open
int_ser80:
bset out
int_ser90:
pop
reti
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