这颗 电容Cgd  当开关速度比较高，VDD电压较高，通过Cgd的电流较大，容易引起震荡，

gd间加电容，这个很少见，看不懂
搞不好会导致加重损耗并和效率降低

maychang 发表于 2018-12-3 16:05
“请教前辈，如下图，这是步进电机的供电开关管，使用PMOS切换”
你的图中P沟MOS管源极接到哪里去了？漏极 ...

S极接的是5V电源，D极接的是步进电机的电源输入端。

elec32156 发表于 2018-12-3 17:27
S极接的是5V电源，D极接的是步进电机的电源输入端。

好的。
源极接电源，负载接在漏极上，那么这是共源极电路。共源极电路中漏极电位是变化的，这个变化着的电位将通过电容C889反馈到门极，使得从Q803向MOS管门极看过去的电容量不仅是C890和C889之和，而是C890和C889乘以MOS管电压增益之和，即 C890+C889*A ，其中A是MOS管电压增益(电压放大倍数)。通常，这种使漏极-门极之间电容增加到A倍的效应称为米勒效应。

elec32156 发表于 2018-12-3 17:27
S极接的是5V电源，D极接的是步进电机的电源输入端。

所以，C889对“缓打开”的作用比C890大得多，是C890的A倍，别看这两个电容的电容量是一样的。
有了C889之后，C890其实没有多大用处，去掉也无妨。当然，保留C890也无妨。