求教MOS烧毁的原因

2019-03-25 13:22发布

这个推挽电路的MOS老是烧毁,左右两边连接的都是arm的io;
我在驱动和mos之间加了12V的上拉和下拉电阻,还是要烧;
求高手指条明路啊
此帖出自小平头技术问答
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19条回答
maychang
1楼-- · 2019-03-25 20:14
< 把你使用的驱动芯片和MOS管特性贴出来,否则难以分析。
X1PMOS1和X1NMOS1两信号是否完全互补并有死区?
X1PMOS2和X1NMOS2两信号是否完全互补并有死区?
jishuaihu
2楼-- · 2019-03-25 23:15
管子烧毁最大的原因都是电流过大,如果负载本身没有短路或者过载的问题的话一般都是因为没有死区或者死区时间过短造成的瞬间短路造成的
qwqwqw2088
3楼-- · 2019-03-26 00:03
沙发说的有道理,IRF7389是对管,上下管如果同时导通承受不起了么,是否因为这个呢
仙猫
4楼-- · 2019-03-26 01:33
 精彩回答 2  元偷偷看……
yangxf1217
5楼-- · 2019-03-26 03:14
maychang 发表于 2014-11-25 16:13
把你使用的驱动芯片和MOS管特性贴出来,否则难以分析。
X1PMOS1和X1NMOS1两信号是否完全互补并有死区?
X ...

驱动芯片的什么特性呢?
那个mos集成了两个上边是nmos,下边是pmos。
据说这个电路叫推挽。
不灌程序时候上电不一会就烧,灌了程序就会好点,但是偶尔也烧。
yangxf1217
6楼-- · 2019-03-26 05:05
qwqwqw2088 发表于 2014-11-25 17:03
沙发说的有道理,IRF7389是对管,上下管如果同时导通承受不起了么,是否因为这个呢

我们分析也是这个原因烧的,我不知道是不是我们哪里少加了东西导致的?程序运行时候应该不会两个同时导通,应该是硬件的问题。

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