求教MOS烧毁的原因

2019-03-25 13:22发布

这个推挽电路的MOS老是烧毁,左右两边连接的都是arm的io;
我在驱动和mos之间加了12V的上拉和下拉电阻,还是要烧;
求高手指条明路啊
此帖出自小平头技术问答
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19条回答
chunyang
1楼-- · 2019-03-26 22:58
楼主好好查查驱动的时序,包括上电暂态时的情况,必然存在同时导通。
lyfly_away
2楼-- · 2019-03-26 23:37
用示波器捕捉4个IO的信号看看
仙猫
3楼-- · 2019-03-27 00:00
yangxf1217 发表于 2014-11-25 18:17
不灌程序时候上电不一会就烧,灌了程序就会好点,但是偶尔也烧。

1、无程序驱动时各FET的栅极都处于悬浮状态,上下同时ON的可能性很大,故容易烧。
 → FET的G-S间应并上电阻。
2、有程序时,若切换方向的前后两状态间不插入一段死区(即各FET都OFF)也可能烧。
 → 程序上可考虑留出数μs的间隙。
3、如果1,2都解决了还烧,就要看看负载有什么问题了。
yangxf1217
4楼-- · 2019-03-27 01:57
 精彩回答 2  元偷偷看……
maychang
5楼-- · 2019-03-27 06:58
yangxf1217 发表于 2014-11-26 09:44
是的,那个器件的图12楼帮我贴上来了

首帖中说,你在MOS管与驱动之间加了12V的上下拉电阻。
没有图,看不出上下拉电阻加在何处。如果每支MOS管都加了上下拉电阻,那么静态(没有输入信号)时,P沟MOS管GS之间电压为负6V,N沟MOS管GS之间电压为正6V,这样的GS电压足以使两支MOS管均充份导通,两支MOS管必烧无疑。
jishuaihu
6楼-- · 2019-03-27 08:51
yangxf1217 发表于 2014-11-25 18:30
死区是指什么呢?

正常使用时上下两个桥臂是交替导通的,做程序你肯定也是先把其中一个关了再去打开另外的一个,这样理论上没有问题。但是实际上MOS关需要一个关断的时间,也就是你IO口把管子关了,到时间电流彻底为0还需要一定的时间,如果这个时间内另外的一个桥臂已经导通的话上下两个桥臂就会出现一段时间的短路情况,这样烧管子的情况出现的就会比较多。死区就是在一个桥臂关断之后,另外的一个桥臂打开之前加入的一个延时,以确保第一个桥臂已经彻底关断。一般几个us即可。现在的单片机如果用互补的PWM输出的话都有专门的寄存器用来设置死区时间的,如果没有的话就得自己加上。
再一个你说的不写程序容易烧应该就是仙猫说的那种情况了,上电的时候CPU管脚不确定,同时为ON的可能性大,从而导致的烧管。

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