1. 两张图的mos接发是一样的，只是电池分别画在了两侧
2. 1M这里没看出有什么作用

本帖最后由 maychang 于 2018-11-19 10:59 编辑

mounthill 发表于 2018-11-18 11:22
1. 两张图的mos接发是一样的，只是电池分别画在了两侧
2. 1M这里没看出有什么作用

1. 两张图的mos接法是一样的，只是电池分别画在了两侧

两图电池都是在左边吧？
第一幅图，电池正端接P沟MOS管源极。第二幅图，电池正端接P沟MOS管漏极。

本帖最后由 mounthill 于 2018-11-19 10:54 编辑

maychang 发表于 2018-11-18 12:28
1. 两张图的mos接发是一样的，只是电池分别画在了两侧

两图电池都是在左边吧？
第一幅图，电池正端接 ...

大意了，主要差别在于mos管的类型：

绝缘栅场效应三极管分为：

耗尽型→N沟道、P沟道

增强型→N沟道、P沟道

（1）N沟道耗尽型绝缘栅场效应管结构

N沟道耗尽型的结构和符号如下图（a）所示，它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时，这些正离子已经感应出反型层，形成了沟道。于是，只要有漏源电压，就有漏极电流存在。当VGS》0时，将使ID进一步增加。VGS《0时，随着VGS的减小漏极电流逐渐减小，直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压，用符号VGS （off）表示，有时也用VP表示。

N沟道耗尽型的转移特性曲线如下图（b）所示。

（a） 结构示意图 （b） 转移特性曲线

（2）N沟道增强型绝缘栅场效应管结构

N沟道增强型绝缘栅场效应管，结构与耗尽型类似。但当VGS=0 V时，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若VGS》VGS （th）时，形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在VGS=0V时ID=0，只有当VGS》VGS （th）后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。

VGS（th）——开启电压或阀电压;

（3）P沟道增强型和耗尽型MOSFET

P沟道MOSFET的工作原理与N沟道MOSFET完全相同，只不过导电的载流子不同，供电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有NPN型和PNP型一样。

3 场效应管伏安特性曲线

场效应管的特性曲线类型比较多，根据导电沟道的不同以及是增强型还是耗尽型可有四种转移特性曲线和输出特性曲线，其电压和电流方向也有所不同。如果按统一规定的正方向，特性曲线就要画在不同的象限。为了便于绘制，将P沟道管子的正方向反过来设定。有关曲线绘于下图之中。

4.各种场效应管特性比较

（a） 转移特性曲线 （b） 输出特性曲线

mounthill 发表于 2018-11-19 10:52
大意了，主要差别在于mos管的类型：
绝缘栅场效应三极管分为：耗尽型→N沟道、P沟道增强型→N沟道、P沟 ...

楼主使用的两支功率MOS管，必是P沟，而且必是增强型，别无它选，想买耗尽型都买不到。

maychang 发表于 2018-11-19 11:36
楼主使用的两支功率MOS管，必是P沟，而且必是增强型，别无它选，想买耗尽型都买不到。

单从原理图symbol来看，肯定是不同的