光耦可控硅驱动电机电路设计是否有缺陷

2020-01-30 13:58发布

本帖最后由 ckl0126 于 2012-5-4 08:45 编辑

下图是一个光耦可控硅驱动电机的电路图,但是在使用过程中,每隔两三个月光耦就会出现软击穿现象,换新光耦后同样是这个问题,请问一下次电路设计是不是有缺陷啊?
Q1为双向可控硅,R5为1K电阻,R8为390欧,光耦1引脚接5V,2脚接单片机引出的PWM信号.
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17条回答
ourdev850725
1楼-- · 2020-01-30 16:48
 精彩回答 2  元偷偷看……
xuxer110
2楼-- · 2020-01-30 18:04
就是 真抠门啊
r166
3楼-- · 2020-01-30 18:47
那楼主你就弄两套,每1.5个月换一下就OK了
ckl0126
4楼-- · 2020-01-31 00:33
ourdev850725 发表于 2012-5-3 14:57
就这么点东西能看到什么

这部分模块就只有这么多东西啊,光耦1脚接5V,2脚接单片机引出来的PWM信号,双向可控硅1端接电机,2端接电源
BXAK
5楼-- · 2020-01-31 01:47
R5太大了吧,大功率时可控硅导通不完全很容易挂掉,
其余的保护、抑制干扰措施网上搜搜就有
longwu911
6楼-- · 2020-01-31 02:19
 精彩回答 2  元偷偷看……

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