maychang 发表于 2018-7-12 13:55
详见10楼。

看最新 回复。

SRAM001 发表于 2018-7-12 15:13
CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串 ...

看不懂14楼图中C13C16右边部分。
如果Q2Q10均关断，V+与GND之间36V电压经D4D8给C13C16串联充电，这没有问题。但若Q2导通Q10关断，那么36V电压将经D8作用于C16两端，而Q10导通Q2关断，则36V电压将经D4作用于C13两端。恐怕C13或C16不能承受36V电压。若Q2Q10均导通，则更危险，36V电压将由V+短路到GND。

SRAM001 发表于 2018-7-12 15:13
CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串 ...

图中有P1.0和P1.1两个标号，似乎是单片机的两个引脚。单片机电源负端若是GND，那么P1.1是不可能控制源极接12V的MOS管Q7的。

SRAM001 发表于 2018-7-12 15:13
CG ND 和CCVC超级电容的地和电压正   12v和GND是电源12v的电源正和公共地 超级电容是  9*2.7  50F 2套串 ...

到现在你也没有说清楚烧毁的是哪支管子，姑且猜测是Q5或Q9。
Q5或Q9烧毁，应该与管子门极是否串联10欧电阻无关。有关的是D4和D8。如果D8导通，那么CGND这一点电位仅比与GND这一点电位高0.7V，Q5Q9源极比GND高0.7V，不会影响Q5Q9导通，11.3V电压作用于门极，也不会使MOS管Q5Q9损坏。但若D4D8关断，那就很难说了。Q5Q9门极电位完全可能比源极高得多而被击穿。

没错   是Q5Q9我忘记说了 不好意思  D8如果断开  那么12v和gnd不构成回路  mos管还会导通吗？应该属于俩个不同的电源了吧？