大家好，我有两个问题，麻烦大家帮帮忙
问题1：DDR3在进行读写数据的时候，一般是先写完一行再读一行，还是读写都在一行上完成，还是写完整个DDR3然后再读整个DDR3？
问题2：在用modelsim 观察example design 跑出的例子时，init_calib_complete被拉高后，首先是写bank0的第一行。在写bank0的第一行时 app_addr=0000200之前的app_addr与相应app_wdf_data不满足相差两个时钟周期以内的要求，app_addr=0000200 之后满足，这是为什么？难道是app_addr=0000200之前写进去数据都无效吗？
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init_calib_complete被拉高后，就可以写数据了，写多少数据由地址控制，可以把地址写满，读的代码和写的代码时同时进行的，只要ddr3中有数据，控制读的那几个信号都满足，就开始读了，读数也是根据地址读的，就相当于有几个坑（地址），每个坑里按顺序分别种着白菜，萝卜，黄瓜，那么你在拿的时候按顺序就应该也是白菜，萝卜，黄瓜的往出拿，要是你想拿第二个坑里的，那就是萝卜，就是这个道理。欢迎交流！
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