本帖最后由 ppxxjh 于 2018-4-19 14:07 编辑
再次向各位前辈老师请教,望各位在百忙之中指导解惑,非常感谢这款电路是找来学习用的,是电机的逆变电路部分
1、这个达林顿电路的集电极接到栅极有什么用?
刚开始我的理解是Q15导通后给MOS的Ggs放电用的,保证Q6的快速关断、防止误操作。最后反复确认,应该不是这个作用,如果是放电
用,并联电阻就可以了,不用设计这么复杂。
2、如果这个电路是我设计,这此电阻的阻值都是未知的,应该设计多大呢?《PWN_/U》是接到MCU,因MCU是电压是3.3V,可以认为R62的
左端输入的信号电压为3.3V吗?
如果是3.3V,我根据R62R63以及3.3V的电压比计算出了R63的电压为1.2V
R75的电压是0.6V,那么R70的电压为15V-0.6V=14.4V
上面的电压我仿真了,接近于我计算出的理论值,除了以上信息,其他的我不知道如何计算,确定不了电阻的大小,已经看了两三天了
还是没思路,特来此请教高手。
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小平头技术问答
R64应该是负反馈电阻吧,三极管的热稳定性差,可以稳定三极管的静态工作点
有前辈认为这种接法不是倒置达林顿管,而是关闭MOS管之用,多反向一次。
既然是关断下桥MOS之用,为什么上桥不使用这种接法快速关断上桥MOS呢?
假如R62左端输入低电平,Q14截止,但是Q15是饱导通,快速关断MOS
假如R62左端输入高电平,Q14是工作在放大区还是饱合区,就不会怎么分析了
两个三极管都是是饱和导通,不会分析可以恶补三极管基础知识
想说的是,这种驱动半桥的电路,下桥用这种方法确实很少见,已经说过可以去掉这部分电路也可以工作,估计与驱动信号PWN_/U和PWN_U的延时有关
驱动半桥时,在要求上桥MOS导通时下桥MOS一定是关闭截止的,下桥的MOS的漏极D端,即上桥MOS的S源极端的电压,有时会高于控制的电压,烧芯片,但电路中Vs已经接了上桥臂MOS管的S极,上桥臂的驱动电路悬浮,下半桥只要驱动信号保证死区时间就可以让下桥MOS管可以很好的饱和导通了
边补三极管相关知识,边用这个电路分析学习,只是有的地方书上讲得看得很费解,所以才来这里问的
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