如图，是一个常用到的充电电路，实际Q411使用的PMOS管型号为CJ3401，规格参数如图，工作原理是当5V不接入的时候，因Q411栅极通过电阻接地，MOS管沟道导通，当5V接入时，VGS小于开启电压，PMOS沟道关闭；
这里有一个疑问，就是当5V不接入时，实际测量到D端和S端是没有压降的，两端都是4.19V（等于VBAT电压），但是看规格书其体二极管是有压降的（VGS=0V，Is=-1A时，VSD=-1V），想请问下，这里的PMOS接法采用的是D到S电流流向，那么导通工作时其体二极管两端不应该有压降吗？为何测出来没有？我理解的S端电压应该=VBAT电压 - 二极管压降。感谢各位老师！
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小平头技术问答
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D极和S极之间的内电阻Rds(on)决定DS压降，，MOS导通时压降很小，取决于导通时Rds(on)的值
此时MOS管导通，漏极源极之间电阻很小，你的负载电流估计也很小，所以压降更小。
1> 上电瞬间PMOS管沟道截止，电流从二极管过，S端电压为VBAT电压减去体二极管压降，实际用示波器抓到S端的波形，如图，上电瞬[img][/img]间电压跳变0V---2.96V---4.19V，可算出体二极管上压降为1.23V，我判断是上电瞬间主板上的电容充电瞬间电流比较大，造成其压降较大，不知理解是否正确呢？
2> 上电结束后，S端的电压稳定在4.19V，跟VBAT一样，是因为Vgs=-2.96V，沟道已导通（且根据数据手册显示Vgs=-2.5V时Rds（on）=90mΩ，则Vgs=-2.96V时Rds（on）会更小，在75mΩ~90mΩ之间），此时沟道电阻极小，电流不再走体二极管，体二极管截止，所以DS两端压降转变为为Rds（on）的压降；而此时系统耗电在uA级，所以压降小的根本测不到（系统漏电按200uA计算，Rds（on）取80，则压降约0.016mV），所以测出来都是4.19V了；
3> 测了下开机后的Vds，系统开机（负载平均功耗为200mA），此时用万用表测到压降为11mV
是的，负载电流uA级，实际测试了下，数据整理如上，压降约0.016mv
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