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关于IR2110的自举电容选取问题
2019-03-25 13:56
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站内问答
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模拟电子
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调试一块驱动三相6路的MOSFET的管子的驱动电路,用的是IR2110,但是这个自举电容的选取很难把握,而且电路板也是自己手焊的,走线没有PCB那么好,杂散电容杂散电感什么的干扰比较大,请问这个情况下是不是该果断放弃而改用PCB板?另外这个自举电容的选择有什么方法可循。
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19条回答
郑小气聋子
1楼-- · 2019-03-26 14:18
dontium 发表于 2014-10-7 11:22
G极前的二极管,----两个者要去掉。
你看看这篇文章:
原谅我英文不好
,看起来比较吃力,慢慢看吧
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雪枫而逝
2楼-- · 2019-03-26 19:00
dontium 发表于 2014-10-7 11:22
G极前的二极管,----两个者要去掉。
你看看这篇文章:
我不是很认同您的意见哦 。个人认为, 在电机驱动上面使用这两个二极管很常见,一般来说都是使用快恢复二极管,他们的作用都是保护mos管。和10K并联的那个二极管可以有效防止Vgs<-20V保护mos管,另外一个就是纯粹的续流了。这仅仅是个人小小看法
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范红国
3楼-- · 2019-03-26 23:08
电容太大充放电慢,电容充不满,驱动线性,关系发热,电容太小,充放电太快,驱动不冲动,建议根据资料芯片公式推算,折中选取
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atlasli
4楼-- · 2019-03-27 02:10
取决于开关频率,一般0.1u
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wakala
5楼-- · 2019-03-27 02:46
精彩回答 2 元偷偷看……
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在学习的路上
6楼-- · 2019-03-27 04:40
楼主说的芯片发热是说MOS管还是IR2110,还是什么
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原谅我英文不好,看起来比较吃力,慢慢看吧
我不是很认同您的意见哦 。个人认为, 在电机驱动上面使用这两个二极管很常见,一般来说都是使用快恢复二极管,他们的作用都是保护mos管。和10K并联的那个二极管可以有效防止Vgs<-20V保护mos管,另外一个就是纯粹的续流了。这仅仅是个人小小看法
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