< 不是。
功耗，有瞬间的，有平均的。

因为MOS管的特点，真正要它工作的功率为0（理论值），但它的栅极都不可避免地存在电容，所以，MOS管的驱动，主要是对准这个电容的。再者，密勒电容也要考虑。

所以，驱动MOS管，只要刚开始那一眨眼功夫就行了。

看芯片datasheet，只看Product Summary(产品介绍)怎么行？产品介绍只是非常粗略地向你说明一下，特别强调其优势。

楼上说的很对， datasheet中的简介都是在表征产品的能力，每个参数都有他的特定条件的。

感觉你的问题问得怎么这么个奇怪呢~
这里面写的Iout和Vout都是指mosfet一般能通过或是能承受的参数，并不是你说的驱动电流，如果对mosfet谈驱动，很容易让人理解成是mosfet基极的驱动。
其实功率这个值意义不大，最后都要转换成Tj才有意义，所以你要根据你的实际应用情况来计算出最坏情况的Tj，确保Tj在Tjmax一下才可以，设置要实际测量，应为datasheet 中给出的Rja/Rjc和你实际应用的情况是不一样的。
为什么说功率这个值实际意义不大呢？ 因为当环境温度是-40C时，和环境温度是85C时，能承受的功率其实是完全不同的。
希望对你有所帮助！

IR2110只是一个驱动，与MOSFET工作所需要的功率没关系
要考虑MOSFET功率，内阻Rds参数是必须要考虑的，管子自身消耗的功率，耗散功率参数等

九条小鱼儿 发表于 2017-9-24 07:31
楼上说的很对， datasheet中的简介都是在表征产品的能力，每个参数都有他的特定条件的。

感觉你的问题问 ...

好的