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本帖最后由 yhye2world 于 2017-8-10 00:13 编辑
如下图所示，为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。
其中，VGS(th)的值为：Min，2.9V ；Typ，3.5V；Max，4.1V .
请教：我对VGS(th)参数 和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：
1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；
2. 当2.9V≤VGS(th)<4.1V时，此规格的MOSFET有可能导通（也有可能不导通）；
3. 当VGS(th)<2.9V时，所有此规格的MOSFET均不导通。
谢谢 ！
附图
此帖出自小平头技术问答
如下图所示，为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。
其中，VGS(th)的值为：Min，2.9V ；Typ，3.5V；Max，4.1V .
请教：我对VGS(th)参数 和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：
1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；
2. 当2.9V≤VGS(th)<4.1V时，此规格的MOSFET有可能导通（也有可能不导通）；
3. 当VGS(th)<2.9V时，所有此规格的MOSFET均不导通。
谢谢 ！
附图
此帖出自小平头技术问答
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简直是误导人，谁跟你说VGS越高，RDS（ON）越小？自己好好看看规格书
不能说说“VGS越高，RDS（ON）就越小”，只能说“VGS越高，RDS就越小”。
RDS和RDS(ON)，二者含义不同。前者是随VGS变化的，后者基本不随VGS变化(可以说是RDS变化的最小值)。
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