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本帖最后由 yhye2world 于 2017-8-10 00:13 编辑
如下图所示，为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。
其中，VGS(th)的值为：Min，2.9V ；Typ，3.5V；Max，4.1V .
请教：我对VGS(th)参数 和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：
1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；
2. 当2.9V≤VGS(th)<4.1V时，此规格的MOSFET有可能导通（也有可能不导通）；
3. 当VGS(th)<2.9V时，所有此规格的MOSFET均不导通。
谢谢 ！
附图
此帖出自小平头技术问答
如下图所示，为AOT290L/AOB290L( N MOSET )的部分参数。
其中，VGS(th)的值为：Min，2.9V ；Typ，3.5V；Max，4.1V .
请教：我对VGS(th)参数 和 管子 导通的关系 理解如下，不知 是否正确，还请前辈、大侠 指点（轻拍）：
1. 当VGS(th)≥4.1V时，所有的此规格的MOSFET均导通 ；
2. 当2.9V≤VGS(th)<4.1V时，此规格的MOSFET有可能导通（也有可能不导通）；
3. 当VGS(th)<2.9V时，所有此规格的MOSFET均不导通。
谢谢 ！
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不是这么回事。
门极对源极电压达到 Vgs（th）之后，MOS管漏极与源极之间电阻是相当大的(由漏极电流仅250uA即可看出来)，而且该电阻带有强烈非线性。随着Vgs不断增加，漏极与源极之间电阻也不断减小，Vgs达到某一数值后，漏极源极之间电阻减小得很慢，几乎不 再减小，此时的漏极源极之间电阻称为Rds(on)。
不好意思，这里我说话有点偏激。没有考虑到MOS管工作在放大状态，放大状态是表现出阻抗特性，也就是Vgs输入电压低于Vgs（th）电压时，随着VGS电压的增加，RDS（on）是越来越小的。当高于某一值（此值大于Vgs（th））时，随着Vgs的电压的升高直至Vgs（max）值，RDS（on）变化并不明显。一般按照推荐测试的Vgs选择驱动电平
谢谢前辈！
这么说可以理解为MOSFET的沟道在趋近于完全打开时的这么一个电阻了，之前一直理解的“on”是MOSFET一开始的“导通”，而实际上是相当于沟道“饱和”时候的RDS了。
是的。
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