要求：用间接寻址方式清除RAM地址20h～2Fh单元寄存器内容的实例。
网上教程里程序如下：
    MOVLW  0x20  ；20h→w，对指向RAM单元的指针初始化
     MOVWF  FSR   ；20h→FSR，FSR指向RAM
LOOP  CLRF     INDF ；清除INDF，即清除FSR内容所指向的单元20h→2Fh
    INCF 　 FSR   ；（指针）FSR内容加1
    BTFSS    FSR，4；判别（指令）FSR的D3位，若为0执行下条循环指令；若为1间跳执行。
    GOTO    LOOP；跳转到LOOP（循环）
OK  …　　　 ；已完成功能，继续执行程序

疑惑：BTFSS    FSR，4 ;这一句的4应该指D3还是D4？如果是D3，那D3变为1时，FSR指向的地址是00101000B（28H）。程序只完成了20H---27H的清零。
如果是D4，那就是说FSR递增到30H时跳出循环，清零只清到2FH。那就只是注释写错了而已。
望高手赐教。