gmchen 发表于 2017-6-21 17:13
刚才又估算了一下。三个LED，当它们每个的压降都是3V吧，那么在电源12V时，导通电流大约是20mA。若电源高到 ...

嗯，说的有道理，电路板上采用的MOS管个头不小，采用的是TO-252封装

gmchen 发表于 2017-6-21 17:13
刚才又估算了一下。三个LED，当它们每个的压降都是3V吧，那么在电源12V时，导通电流大约是20mA。若电源高到 ...

Q3就是个VOP电路, 这个电路可能是汽车用的, 又要做的便宜, 又要避免用在货车上, 货车是24V电池, 实际上泊车时长期保持25.6V, 发动机启动后为28.8V. 很多小功率三极管发射结有0.55V就有几uA的电流了

本帖最后由 PowerAnts 于 2017-6-21 19:58 编辑

gmchen 发表于 2017-6-21 17:13
刚才又估算了一下。三个LED，当它们每个的压降都是3V吧，那么在电源12V时，导通电流大约是20mA。若电源高到 ...

吃过饭想想不对. 12V时, 基极开路, R5上端电压仅0.28V, 但分压电阻实在太大, 24V时也不不足以令Q3饱和.
设Q3发射结微导通电压为0.55V, 设IC几mA时有300, 24V时有:
Q3基极开路, R5上的电压U5=24*R5/(R5+R6+R7)=0.558V, Ib=(0.558-0.55)/(R5*(R6+R7)/(R5+R6+R7)=0.417(uA), Ic=0.125mA, Uc=22.86V, hFE需要6000, Uc=1.25V, 才可能关断MOS.
那怕是30V供电, hFE也需要420以上, 如果考虑电阻2%的误差, hFE需要500, 误差5%的话, hFE需要710.
实际上, IC达到mA级, Vbe怎么也有0.6V了, 那么hFE需要达到1800.
以上, 还没考虑温度下降引起Vbe上升(1.5-2.5mV/K)

chunyang 发表于 2017-6-21 13:40
电路设计者应该是想用工作于线形态的Q3作为MOS管的对地偏置，但电路设计大有问题，可以说设计思路相当的混 ...

如果只是看电路能否工作的话, Q2截不截止关系倒不算大, 就算是三态IO, 内部钳位二极管压降0.7V, Q2发射结压降0.7V, 那Q2的发射结也有4.7V电压, 比5V低的不多. 不过, 正常的设计, 最好把R2换成二极管

PowerAnts 发表于 2017-6-21 19:47
吃过饭想想不对. 12V时, 基极开路, R5上端电压仅0.28V, 但分压电阻实在太大, 24V时也不不足以令Q3饱和.
...

是的，所以说这个设计有很大问题。也许设计者根本没有很好地计算？或者copy的人弄错了？