MOS管导通瞬间导致MC9S08MM128死机,且复位无效(已解决)

2020-02-11 10:05发布

本帖最后由 FSL_TICS_Robin 于 2014-5-4 12:54 编辑

说明:
       1. 图中VDD给MC9S08MM128供电。VCC给MCU外围器件供电。(power_on接MCU,由MCU控制外围器件的供电)
       2. MOS管后级(VCC端)没有大电容。只有5个104的电容。(VCC、GND 上串有10uH电感)
       3. 在MOS管导通瞬间,会将VDD拉低。
       4. VDD被拉低后,MC9S08MM128可能出现的情况有三种:不受影响、复位、死机。
       5. 最麻烦的是碰到死机情况,因为此时给Reset脚低电平也不能让MCU复位。
       6. 只有重新给MCU上电才能解除死机状态。

求教:用看门狗能不能让MC9S08MM128从这种死机状态下复位?
   
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34条回答
FSL_TICS_Robin
1楼-- · 2020-02-12 10:37
就像5、7楼网友提到的,楼主应该先从电源功率、负载功率、及其配套的电容电感来找问题。
yangwc
2楼-- · 2020-02-12 13:49
 精彩回答 2  元偷偷看……
FSL_TICS_Robin
3楼-- · 2020-02-12 18:08
yangwc 发表于 2014-4-18 12:25
VDD端使用TPS78233,最大可输出230mA电流。负载的正常工作电流不会超过30mA。VDD端有10uF的电容应该是够 ...

3. 在MOS管导通瞬间,会将VDD拉低。
4. VDD被拉低后,MC9S08MM128可能出现的情况有三种:不受影响、复位、死机。

那么是否有抓过“在MOS管导通瞬间,会将VDD拉低。”的波形呢,可以放上来给大家看一下
yangwc
4楼-- · 2020-02-12 20:48
本帖最后由 yangwc 于 2014-4-18 14:39 编辑
FSL_TICS_Robin 发表于 2014-4-18 12:54
3. 在MOS管导通瞬间,会将VDD拉低。
4. VDD被拉低后,MC9S08MM128可能出现的情况有三种:不受影响、复位 ...


图中是MOS管开启瞬间VDD的波形,峰值3.36V,谷值2.32V。如果开启了低压检测,并且使能低压复位,这种情况下MCU会复位。不清楚电压掉下之后的振荡是怎么产生的。是不是这些振荡导致MCU进入不确定的状态?
yangwc
5楼-- · 2020-02-13 00:42
iomabc 发表于 2014-4-17 12:42
Reset脚低电平也不能让MCU复位,看门狗应该没辙了吧,会不会是有闩锁发生?把GND上的电感短接试试会不会改 ...

GND网络上的电感短接没有改善。
yangwc
6楼-- · 2020-02-13 00:47
bailao99 发表于 2014-4-17 12:53
VDD网络靠近MOS处加个大点的电容试试

VDD网络上加100uF电解电容就不会出现MOS管导通时VDD跌落的问题。

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