MOS管导通瞬间导致MC9S08MM128死机,且复位无效(已解决)

2020-02-11 10:05发布

本帖最后由 FSL_TICS_Robin 于 2014-5-4 12:54 编辑

说明:
       1. 图中VDD给MC9S08MM128供电。VCC给MCU外围器件供电。(power_on接MCU,由MCU控制外围器件的供电)
       2. MOS管后级(VCC端)没有大电容。只有5个104的电容。(VCC、GND 上串有10uH电感)
       3. 在MOS管导通瞬间,会将VDD拉低。
       4. VDD被拉低后,MC9S08MM128可能出现的情况有三种:不受影响、复位、死机。
       5. 最麻烦的是碰到死机情况,因为此时给Reset脚低电平也不能让MCU复位。
       6. 只有重新给MCU上电才能解除死机状态。

求教:用看门狗能不能让MC9S08MM128从这种死机状态下复位?
   
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34条回答
rom
1楼-- · 2020-02-14 21:23
一般人我不告诉他,让mos慢点开就可以了
yangwc
2楼-- · 2020-02-14 22:46
TANK99 发表于 2014-4-18 19:50
R12 换成100nF的电容试哈子。

果然有效。
TANK99
3楼-- · 2020-02-14 23:38
哈哈,求妇科圣手解释。
TANK99
4楼-- · 2020-02-15 00:19
 精彩回答 2  元偷偷看……
yangwc
5楼-- · 2020-02-15 02:36
TANK99 发表于 2014-4-24 22:07
在一款产品上应用而来,当时试过减小后级的电容等方法,本来是在R12上并一个电容就可以解决,但是板子急着 ...

后级电容的影响还是有的。如果后级电容已经放完电,MOS管导通瞬间,要对后级电容充电,后级电容相当于对地短路,这时负载电流就大了。
量产一二十万没出问题,这种方式应该是可靠的。
moouse
6楼-- · 2020-02-15 04:28
谢谢,正碰到这样的问题

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