补充, 12楼第二三行的LC取值原则,是烤鼻子电路的, 在克拉波电路上, 由于电感电压反比于接入系数, 故Q值也等比提高, 总谐振阻抗(L两端)则按平方提升, 这也是振荡器更稳定的另一个主要原因.
故, 在维持频率不变的情况下, 不同的接入系数, 最佳的感量与总谐振电容的取值与烤鼻子电路不同. 接入系数越小越稳定. 但要满足起振条件和起振的时间. 一般取最小值的2倍以上为宜, 不宜过份追求稳定, 起振不好再稳定也没用.

楼主把C4搞的那么大, 整个振荡器空有西勒振荡器的形, 性能却还不如克拉波, 只比烤鼻子电路好一点点. 下面的计算表是参数计算, 振荡频率大约42.5MHz(未考滤Q1Q2结电容影响)

maychang 发表于 2017-2-24 20:06
首先你要明白西勒振荡电路是如何振荡的，从什么电路演变过来的。
西勒电路是由三点电容式振荡电路(考毕 ...

根据：
ZK=1/(jwC4) + 1/(DN3 + DN2 +DN1)
DN=1/ZK

1/RL  =
1/R8 + 1/(hf*R6+Rbq2)

ZK1=RL+1/jwC7

DN1=1/ZK1=1/(RL+1/jwC7)

DN2=jwC9 + 1/jwL1

DN3=jw(C8*C5)/(C8+C5)

所以：
ZK=1/jwC4 + 1/(DN3+DN2+DN1)
     =1/jwC4  + 1/(jw(C8*C5)/(C8+C5) + jwC9 + 1/jwL1 + 1/(RL+1/jwC7))
     
当C4和C7比较大时候，该项占虚部模量很小，而忽略该项
所以：
ZK=1/(jw(C8*C5)/(C8+C5) + jwC9 + 1/jwL1 + 1/RL)
     =1/(j(w(C8*C5)/(C8+C5) +wC9 -1/wL1)+ 1/RL  )

所以：
DN=1/ZK = 1/RL   + j(w(C8*C5)/(C8+C5) +wC9 -1/wL1)

当上式虚部小于0时
，则电路程感性，

即w(C8*C5)/(C8+C5) +wC9 -1/wL1<0

另外既然是振荡电路，就需要发生谐振，需要C2C3串联电路
电导虚部jwC2C3/
(C2+C3)   加上  DN虚部和为0

即w(C8*C5)/(C8+C5) +wC9 -1/wL1+wC2*C3/(C2+C3)=0

我所能整理出来的对理论理解，仅此，仅此。。。
下面我应该怎么继续考虑呢？

本帖最后由 maychang 于 2017-2-25 18:12 编辑

jerry88yang 发表于 2017-2-25 17:17
根据：
ZK=1/(jwC4) + 1/(DN3 + DN2 +DN1)
DN=1/ZK

1/RL  =
1/R8 + 1/(hf*R6+Rbq2)

ZK1=RL+1/j ...

前面PowerAnts已经讲了不少了。我补充两句。
实际的电感和电容，都不是理想的电感电容，总是有损耗的。振荡电路是否能够起振，要看有源器件(三极管等)是否能够在一个周期之内把LC回路损失的能量补充回来。补充的能量大于损失的能量，就可以起振，而且振幅越来越大(振幅大了一个周期内损失能量也大)，到一个周期内补充的能量恰好等于损失的能量则成为等幅振荡。
理论上，只要LC乘积等于某值，无论L大C小还是L小C大，都可以产生同一频率振荡。但实际上，L和C数值必须在一定范围内，就是因为电感电容数值太大或者太小损耗都变大(与其储存的能量相比较)。理论上0.1uH电感和10nF电容配合，可以产生大约5MHz振荡，实际上不行，就是因为这样的配合在一个周期内损耗能量太大(和存储能量比较)，有源器件无法补充回来。用0.01uH电感和100nF电容就更不行。构成谐振回路的电感和电容，其材质等也需要考虑，尽量使用损耗小的。电容使用空气、云母、高频陶瓷等介质，电感用较粗的导线(长波到中波频率往往使用多股线)，等等都是为了尽量减少元件的损耗。
仿真可以起振，因为仿真中很可能没有把L和C的损耗考虑进去，统统认为是理想元件。

你的仿真图中使用的三极管是2N2222，实际使用的不知道是什么型号。如果是8050这样的管子，振荡到几十MHz是相当困难的。8050特征频率只有100MHz。