< 本帖最后由 gmchen 于 2017-1-8 14:20 编辑

详细分析是不可能在这里展开的，只能简单说一下：
电路中左下角的三个晶体管及其外围电阻构成基准电压源，其余晶体管（除了最右边两个晶体管外）构成方块图中的那个放大器，放大器的反相输入端在4千欧电阻那里。

早上就看到了此帖，因为要外出，未及回复。

集成电路的设计与分立元器件电路很不一样。分立元器件总是尽量减少元器件，实际上是减少封装，集成电路则不怕三极管多，如果需要用二极管也是按照三极管制造然后短路掉一个PN结当二极管用，因为集成电路工艺制造三极管比制造二极管容易。电阻要尽量少，尤其是高电阻，因为集成电路工艺制造电阻要比制造三极管占用更大的芯片面积。电容最大只能做到几十pF。
所以套用分立元件电路的角度去看集成电路，往往会产生误解。
首帖左边框图中，(R)端到(K)端有一支二极管，右图中却没有这支二极管。实际上，右边图中最左面的三极管的集电结，就是左边图中这支二极管。

gmchen 发表于 2017-1-8 14:15
详细分析是不可能在这里展开的，只能简单说一下：
电路中左下角的三个晶体管及其外围电阻构成基准电压源， ...

额。。。不明白

大部分人用431就如用一个电阻电容一样，不管内部构造，内部集成电路太复杂，非常赞楼主这种深钻能力

不过要想把部分内部电路搞彻底，还要啃啃TI 的tl431英文资料，
9.3功能说明
9.3 Feature Description

想依靠datasheet搞通TL431内部电路的原理基本是行不通的。真正要搞通，必须依赖pn结的压降与电流的关系Ie=Is*exp(Vbe/VT)，或者写成Vbe=VT*ln(Ie/Is)，其中VT=kT/q。根据这个式子写出内部各节点的电流关系式，还要考虑到Vbe的温度特性大约是-2.1mV/K的关系。