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本帖最后由 FSL_TICS_Robin 于 2014-7-17 14:54 编辑
FLASH memory 模块篇
一，Kinetis flash模块特性与配置
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2014-7-17 14:53 上传
在Kineitis的RM里提供了一个计算公式来计算EEPROM的擦写次数，上图是根据这个样例的配置得到的结果，需要注意的是一块芯片最好只对EEPROM分区一次，如果多次分区，那上述公式就不适用了。
而且在这个样例中，A区和B区是大小相等的两个区，如果采用1/8或1/4的比例分区，A区的寿命更长，因为A区比B区小，而每个区的backup FlexNVM又是相等的，所以建议在使用中，更新频繁的数据存放在A区，一般的存放在B区，几乎不更新的数据放在DFLASH或PFLASH里。
附件是pdf文档形式的【Kinetis内部培训资料】FLASH memory 模块
FLASH memory模块.pdf
(1015.69 KB, 下载次数: 79)
2014-7-17 11:07 上传
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PS:本帖可从飞思卡尔版块置顶帖:飞思卡尔Kinetis资料大本营的Kinetis内部培训资料汇总帖链接进入。
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在Kineitis的RM里提供了一个计算公式来计算EEPROM的擦写次数，上图是根据这个样例的配置得到的结果，需要注意的是一块芯片最好只对EEPROM分区一次，如果多次分区，那上述公式就不适用了。
而且在这个样例中，A区和B区是大小相等的两个区，如果采用1/8或1/4的比例分区，A区的寿命更长，因为A区比B区小，而每个区的backup FlexNVM又是相等的，所以建议在使用中，更新频繁的数据存放在A区，一般的存放在B区，几乎不更新的数据放在DFLASH或PFLASH里。
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谢谢你的建议呢
这些飞思卡尔【Kinetis内部培训资料】之前都没有公布出来，所以可能对大家理解飞思卡尔版块置顶帖 飞思卡尔Kinetis资料大本营 的 手把手系列之官方例程讲解大全 有点困难。
有了中文的【Kinetis内部培训资料】相信能让大家学习飞思卡尔Kinetis 微控制器更为容易。
修改：添加链接
谢谢大家关注
【Kinetis内部培训资料】系列的资料讲解的很详细且带中文注释，应该能让大家更容易地了解Kinetis芯片。
最大化backup设置后的EEPROM的同一地址擦写次数10M次。
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