原理图
原理图大致如下
仿真结果
仿真结果如图

实际测量各部分波形大致如图

根据设计要求，产生的陡前沿方波tr小于60ns，ts（10%Uo-Uo±0.03Uo）小于200ns
实际产生的方波会有一个好超调的毛刺，这个毛刺严重影响Ts，虽然可以根据增加最后一级mosfet负载电阻来减小超调从而减小ts，但是同时会增大tr。由于最终负载电容在1-100pF，负载100pF时想保持Tr小于60ns还是不太容易。虽然仿真可以达到，但是实物我之前试了几次都不太成功。
图中接入1pF和10pF两种电容，在负载电阻为900欧左右时可以同时满足Tr<60ns。但是在两种电容值下，Ts并不同时<200ns。
所以
问题1：我在想是不是必须得给每种电容 (1pF 10pF 100pF)都单独用一个mosfet来产生最后的陡化前沿方波，而不是像之前用一个mosfet同时带1pF 和10pF。然后用继电器来切换电路（之前为用继电器切换电容）。想听听大家意见这个想法合理吗
问题2：除去改变负载电阻之外还有什么可以调节tr 以及ts（超调）的方法？或者这个超调是如何产生的？
问题3：图中绿 {MOD}的波形是我根据一个方波变正弦波的电路改变过来的。后来考虑到下降沿还是太快，所以想将绿 {MOD}波形改变为类似于梯形的波形，但是找来找去都没看到有类似的，请教各位大神该如何去做。

此帖出自小平头技术问答