ypengfei 发表于 2014-1-23 13:29
那我应该把上边的8050的E级弄下来啊，箭头都冲下？

这个。。。该怎么跟你解释呢。你还是看看三极管原理吧。
其实你第一张图已经对了啊。正是PNP接法也对，到地是NPN接法也对，就是你把PNP标成8050了。

lusson 发表于 2014-1-23 08:23
NPN和PNP反了，你这样不是工作在饱和状态，是在电流放大状态了，射随

射随是对的，三极管H桥一般为射随模式，ST最经典的L293D/L298N也是射随。
射随两个基极接在一起，自带1.4V死区，驱动最简单。如果做成饱和方式需要处理死区，还要做电平转换，IC还可以做一下，分立会搞死人的。

gzhuli 发表于 2014-1-23 14:36
唉，你别误导人了，上面PNP下面NPN的话VCC对GND就相当于被两个二极管短路了。
14楼的图才是对的，NPN=805 ...

射随压降大吧？如果电流大的话三极管上功耗太大了吧？

的确没考虑死区问题。。。

lusson 发表于 2014-1-23 14:44
射随压降大吧？如果电流大的话三极管上功耗太大了吧？

的确没考虑死区问题。。。 ...

你可以去查一下L293D的参数，压降也是很大的。
MOSFET H桥死区更难处理，所以要么用MCU的带死区互补PWM（也就是每个管独立驱动），要么是IR2104之类自带死区的驱动，分立的死区处理大都不够可靠，高低温和元件老化参数一变就是炸管。

gzhuli 发表于 2014-1-23 14:52
你可以去查一下L293D的参数，压降也是很大的。
MOSFET H桥死区更难处理，所以要么用MCU的带死区互补PWM（ ...

看了下，的确是。