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KL05没有EEPROM，用flash模拟的话 擦写次数是多少（已解决）

2020-02-21 21:12发布

站内问答 / NXP MCU
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本帖最后由 FSL_TICS_ZJJ 于 2014-9-11 13:03 编辑

可不可以轮换分区 擦写 我只需要记录一个8bit的数据 轮换分区擦写会不会延长总的寿命 有没有如何用flash模拟EEPROM的资料呀？
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33条回答
浪里白条
1楼-- · 2020-02-22 16:13
建议楼主还是弄个带EEPROM的单片机
starting
2楼-- · 2020-02-22 17:50
内部flash一般都是10W次，10年 现在有些芯片是30年的
Ai_evan
3楼-- · 2020-02-22 20:31
 精彩回答 2  元偷偷看……
taojie
4楼-- · 2020-02-23 00:37

一般都有几万次的
FSL_TICS_ZJJ
5楼-- · 2020-02-23 06:18
楼主你好，关于你的问题7楼说的是正确的，我们是有相关KL05的flash驱动的。
另外，关于模拟EEPROM，我之前分享了个帖子：http://www.amobbs.com/forum.php? ... p;page=1#pid7758181
看到你也看了。
你可以按照那个帖子配置你的代码。
其实flash的擦写寿命在我们的datasheet中也有。

58.jpg (84.46 KB, 下载次数: 0)

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2014-8-11 10:36 上传
wangpengcheng
6楼-- · 2020-02-23 11:41
楼上正确！
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