在产品中为了降低成本，使用MC9S08FL16内部的FLASH模拟EEPROM，而FLASH的工作电压是4.5V – 5.5V，但是软件只能只能设置低于4V复位，
刚上电软件初始化时会从EEPROM(实际是FLASH)读出历史保存的数据，实验中有时会读到错误数据(内容为0xFF，猜也有可能是之前保存的数据没保存成功)。实测中发现，如果正在页写时，突然断电，就有可能一页中的后面几个字节就没写成功(都是擦除页，然后写整页，即RAM的数据一一与EEPROM映射)。我现在是通过双页备份基本可以解决问题保存错误的问题，但是上电有时还是会出问题读到错误的数据，不知道有没有什么方法可以让CPU上电延时一会儿(像AVR那样)，当然了不能采用初始化时软件延时。
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LZ最终解决问题了么？两个备份区在不同扇区么？是两个备份区都有错？
我的感觉，还是电压的问题，就是操作的FLASH时的电压，一定要处于比较稳定的状态。以及如果在操作FLASH时，电压在跃落时(低于4V时，就最好不要操作FLASH)，否则有可能保存会出错。
答：为两个FLASH页(512字节/页)。
是两个备份区都有错？
答：是的，两页FLASH的数据都是错的。
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