< R7R8R9用1千欧，再并联上一支电容，不发热才怪。
计算一下：此电阻和并联的电容(还要加上MOS管密勒电容)时间常数是多少？

maychang 发表于 2016-6-4 20:42
R7R8R9用1千欧，再并联上一支电容，不发热才怪。
计算一下：此电阻和并联的电容(还要加上MOS管密勒电容)时 ...

那个电阻在S极上，只是对驱动有影响。如果速度低的话，倒也没什么的。现在很多MOS管的G极电容大于1千P

本帖最后由 dontium 于 2016-6-4 21:13 编辑




楼主看一下你用这个器件的特性，再看看你的电路图，


下面的是IPD50N04：

dontium 发表于 2016-6-4 21:06
那个电阻在S极上，只是对驱动有影响。如果速度低的话，倒也没什么的。现在很多MOS管的G极电容大于1千P

是的，我测量MOS管输入电容可达数千pF，这还没有计算密勒电容，计算密勒电容的话可能要达到10nF以上。
这样计算，电容(和电阻并联的电容加MOS输入电容加密勒电容)和1千欧电阻时间常数达10us以上，恐怕已经覆盖死区时间了。

maychang 发表于 2016-6-4 21:22
是的，我测量MOS管输入电容可达数千pF，这还没有计算密勒电容，计算密勒电容的话可能要达到10nF以上。
...

我感觉电机驱动时，它的频率会很低的，过渡时间虽然很长，但相对电机驱动脉宽可以不计。

我在怀疑它前面的驱动IC，只看到个 “ 5V ” ，如果驱动电平最高5V的话，它根本驱动不了图中所标的MOS管。