< 无论N沟管还是P沟管，漏极源极之间电压比较低时其特性均接近线性的电阻(这一点与双极型管不一样)。正因为这个特性，在输出特性曲线族上漏极源极电压比较低那部分才称为“可变电阻区”。
你仅测量了“速度线”上直流电压，未用示波器看看该点波形。猜测该“速度线”上是单向的直流电流，不会有太大波动。这种情况，只要使用一支N沟管即可。

maychang 发表于 2016-5-5 09:03
无论N沟管还是P沟管，漏极源极之间电压比较低时其特性均接近线性的电阻(这一点与双极型管不一样)。正因为这 ...

恩，我明白你的意思了。虽然单片机加在g上电压较高而控制电压较低，但是仍可以使mos管导通，只不过导通电阻受到控制电压影响。控制电压和g级压差越大，导通电阻越小。是这个意思吧。
还有就是在我的这种应用情况下用nmos，此时g电压3.3，s接地，d接0.56v受控源。nmos管的阻值一般是多大呢？我好有个估算来设计电路

maychang 发表于 2016-5-5 09:03
无论N沟管还是P沟管，漏极源极之间电压比较低时其特性均接近线性的电阻(这一点与双极型管不一样)。正因为这 ...

还有就是双极性管是指什么？就是gs和gd都可控制其导通的mos管么？这个datasheet有什么标志？是怎么区别的？

dlcnight 发表于 2016-5-5 21:42
恩，我明白你的意思了。虽然单片机加在g上电压较高而控制电压较低，但是仍可以使mos管导通，只不过导通电 ...

现在是我不明白你的意思。
“控制电压”是个什么东西？首帖并未说明。

dlcnight 发表于 2016-5-5 21:43
还有就是双极性管是指什么？就是gs和gd都可控制其导通的mos管么？这个datasheet有什么标志？是怎么区别的 ...

“双极型”管，就是NPN晶体管和PNP晶体管。