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我做的半桥逆变电路，直流母线电压是400V，用IR2110驱动芯片，如图所示：
，在测试过程中出现MOS管的波形不是标准的方波，而是出现开启和关断的时间都挺长的，如图所示是上管的DS波形：
，这样属于正常吗？这样是不是对MOS管的寿命有影响，或者会导致mos管发热严重的问题啊，我没有使之长时间工作，只工作了十几秒，但是MOS管不怎么热，反而在MOS管两端并联的10Ω-2W的电阻特别烫，是不是我用的点阻太小了，我见有人用的K级的2W电阻。
所以想请前辈大神们给小弟帮个忙，两个问题：
1，MOS管DS端波形不是标准方波会不会有问题；
2，MOS管两端并联的10Ω-2W电阻发烫严重怎样解决；
此帖出自小平头技术问答
所以想请前辈大神们给小弟帮个忙，两个问题：
1，MOS管DS端波形不是标准方波会不会有问题；
2，MOS管两端并联的10Ω-2W电阻发烫严重怎样解决；
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电路中的 元件数值，应该是计算出来的，不能“取值”。
即以楼主文中R25R26而论，为什么用10欧姆？再进一步，R25R26C17C18在此是什么目的？
C13C16并联于MOS管GS之间，是什么目的？
开关电源，功率管输出端要完美方波，几乎不可能。只能接近于方波。
另外，楼主未说明负载，怀疑是空载测试。这通常不能反映实际工作情况。
是有死区设置的
要明白C17，C18电容的作用是来降低电磁干扰的，一般降低噪声才用，但加了之后会增加开通损耗，肯定引起MOS发热，严重的热肯定要挂掉MOS的
你的负载是30欧电阻再串联2.2nF电容，但R25R26C17C18中两支电容为0.1uF机00nF，容抗已经比2.2nF小得多(1/45)。另外C17C18R25R26对交流而言是并联，那么通过R25R26C17C18的电流比通过负载的电流还要大得多。R25R26焉能不热？
C13C14毫无用处，反而使MOS管输出电流上升下降变缓慢。
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