2021-06-15 10:05发布
你好,我有一个如下所示的配置,我不理解它的逻辑:
这个电路应该通过3.3V到放大器。
我对MOSFET中的漏极一无所知。
在这种情况下,漏极电压是多少?我怎么看晶体管是否饱和?
逻辑门打开又关闭,晶体管打开、放大或关闭。
每种晶体管有一系列规格,因为有些具有高增益,有些具有中等增益,有些具有低增益。像你原理图中的Mosfet的Vgs阈值范围是2V到4V,IRFxxx产生的漏电流只有0.25mA。
大多数电路采用负反馈设计,使得不同的增益和不同的阈值电压在一个电路中都能很好地工作。你在Mosfet的栅极上显示1V,这使它保持关闭状态。对于一个N沟道mosfet,当它的Vgs为2V到4V时,它几乎没有打开,而IRFxxx必须在10V左右才能完全打开。
当Mosfet关闭时,放大器没有偏置。当Mosfet开启时,放大器的输入电压将以3.3V偏置,但如果3.3V为低阻抗,则信号被阻断,放大器将得不到信号。
每一种Mosfet管都有详细的数据手册,数据手册中会标明打开通路时它的Vgs的范围。
原理图的位号非常重要,您的Mosfet符号缺少表示是N沟道还是P沟道的箭头。
另外你的电压不是+3.3V或-3.3V,1V也一样。
你好,若你心无旁人,这只是一个理论问题。
假设我的VSG>vt,晶体管是打开的,但它的漏极连接到放大器上。
我如何知道漏极的值,看看它是否饱和?
谢谢。
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逻辑门打开又关闭,晶体管打开、放大或关闭。
每种晶体管有一系列规格,因为有些具有高增益,有些具有中等增益,有些具有低增益。像你原理图中的Mosfet的Vgs阈值范围是2V到4V,IRFxxx产生的漏电流只有0.25mA。
大多数电路采用负反馈设计,使得不同的增益和不同的阈值电压在一个电路中都能很好地工作。你在Mosfet的栅极上显示1V,这使它保持关闭状态。对于一个N沟道mosfet,当它的Vgs为2V到4V时,它几乎没有打开,而IRFxxx必须在10V左右才能完全打开。
当Mosfet关闭时,放大器没有偏置。当Mosfet开启时,放大器的输入电压将以3.3V偏置,但如果3.3V为低阻抗,则信号被阻断,放大器将得不到信号。
每一种Mosfet管都有详细的数据手册,数据手册中会标明打开通路时它的Vgs的范围。
原理图的位号非常重要,您的Mosfet符号缺少表示是N沟道还是P沟道的箭头。
另外你的电压不是+3.3V或-3.3V,1V也一样。
你好,若你心无旁人,这只是一个理论问题。
假设我的VSG>vt,晶体管是打开的,但它的漏极连接到放大器上。
我如何知道漏极的值,看看它是否饱和?
谢谢。
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