每一颗晶体都会有厂商给出的负载电容CL
C14*C15/（C14+C15）+CP=CL
CP杂散电容
如C14，15选择不当，不会起振。C14，C15的选择影响到晶体振荡频率。
R5目的是限流，防止过激励

与晶体相联的两个电容及两个电阻，是与晶体的负载特性及振荡器特性共同决定的。

如楼上所说，两个电容的选择，要看晶体的特性，每种晶体在手册中对负载电容都有说明。

R5是振荡器的负载特性决定的。它一般接在输出端。

实际应用中，可以既根据手册说明选择，也要根据实际作调整。达到振荡稳定的目的。

ncutlan 发表于 2015-4-24 09:35
每一颗晶体都会有厂商给出的负载电容CL
C14*C15/（C14+C15）+CP=CL
CP杂散电容
如C14，15选择不当，不会起振。C14，C15的选择影响到晶体振荡频率。
R5目的是限流，防止过激励

做FCC/CE认证EMC 960MHz 幅值dBuV 该处PCB辐射比较大，R5取值可有些参考以降低辐射值？谢谢

两个电容叫匹配电容，与频率、振荡电路参数和晶体的负载电容参数相关，其容量过大或过小都会导致起振困难，在采用泛音晶体时，还可能导致频率锁定在错误的基频或低次泛音频率上。电阻R6的作用则是降低振荡回路的增益，实际上是个负反馈电阻，这样可以使信号沿不至于过分陡峭而使EMI特性劣化。R5是串联在整个回路里的阻尼电阻，一般不用或取很小的数值，其作用是起振时使信号更稳定。

等效看就是个电容三点式震荡器，X1是晶体，相当于三点式里面的电感，C1和C2就是电容，单片机内部是个反相器，可以对照高频书里的三点式电容振荡电路。