2019-03-25 17:30发布
dontium 发表于 2014-1-27 12:14 1、C2是为了提高FET的输入阻抗而加入的。理论上，FET的G极电位（约）等于S极电位，加入C2后，使Rg3两端的电 ...
dizhoumimi 发表于 2014-1-27 12:31 对于你回答的第二个问题，如图是结形FET，是耗尽型的，正号放左端，是不是错了？
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{var%20f='http://v.t.sina.com.cn/share/share.php?appkey=1515056452',u=z||d.location,p=['&url=',e(u),'&title=',e(t||d.title),'&source=',e(r),'&sourceUrl=',e(l),'&content=',c||'gb2312','&pic=',e(p||'')].join('');function%20a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=440,height=430,left=',(s.width-440)/2,',top=',(s.height-430)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent))setTimeout(a,0);else%20a();})(screen,document,encodeURIComponent,'','','https://www.xiaopingtou.cn/data/attach/logo/logo.png', '推荐 dizhoumimi 的问题《复合互补源极跟随器》','https://www.xiaopingtou.net/q-18255.html','页面编码gb2312|utf-8默认gb2312'));){kind=link}
对于你回答的第二个问题，如图是结形FET，是耗尽型的，正号放左端，是不是错了？
没错~~~
因为，正常情况下，耗尽型MOS，所加偏置是正偏置电压，G极电位高于S极电位~~~
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