关于silvaco软件仿真LED外延的问题

2019-03-25 17:34发布

站内问答 / 模拟电子
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请问群里有高手用silvaco TCAD仿真分立器件吗，为什么我用该软件仿真GaN基LED，跑了几次代码，复合效率分布图的数量级居然不一样！代码是我自己写的，如果用库里自带的GaAs基LED模型跑出的数据就会很稳定，是我自己设置的LED结构有问题吗,求高手不吝赐教。 此帖出自小平头技术问答
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2条回答
Grizabella
1楼-- · 2019-03-26 01:56
 精彩回答 2  元偷偷看……
瓷娃娃
2楼-- · 2019-03-26 05:31
那您帮我分析一下，单量子阱的模型如下：　　其中，蓝宝石衬底0.397μm；省略GaN缓冲层，其上生长n-GaN,厚度为3μm，其掺杂浓度为5×1018cm-3;其上生长InGaN薄膜厚3nm，未掺杂；其上生长p-AlGaN,厚度为100nm，其掺杂浓度为1×1019cm-3;其上生长p-GaN层,厚度为200nm,其掺杂浓度为1×1019cm-3；最后P型电极，无厚度。省略n区电极。

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