< 不知道这么理解对吗?

第一种: 1.8的IO, 要去控制5.0v~5.5v; 就必须选择Vgs> -4v的 (min=-4 max=-6) 这种类型的?
第二种: 3.3的IO, 要去控制5.0v~5.5v; 就必须选择Vgs> -2v的 (min=-2 max=-4) 这种类型的?
第三种: 3.3的IO, 要去控制3.3v~4.2v; 就必须选择Vgs> -2v的 (min=-2 max=-4) 这种类型的?

有2中IO控制控制5.5v的, 如果要避免购买2种类, 可以用下列2种方法:
1. 将3.3v接下拉电阻, 变成1.8的.
2. 选个通用的的阀值.

我这么理解对吧?

建议图文配合说明，方能事半功倍，否则楼主自己写得累，别人或许还看得不知所云。

需注意的是，数据手册里MOSFET的阈值电压Vgs(th)是有条件，从截止到导通也是有过程的。
比如标注阈值最大为1.5V的管子可能条件是250μA，要使管子饱和还应再加高Vgs。
一般地，用单片鸡之类的低压输出做控制时，Vgs(th)要尽量选小一点的（绝对值），以便有足够的电压裕量使之导通。
好在这年头小Vgs(th)的MOSFET比比皆是，低于1V的也不少，有很大的选型余地。

既然楼主能提出这样的问题，说明你设计的电路还有进一步完善的地方。
那么，帖出来让大家看看也只会有好处的。

A。第一个问题，由你的叙述设想，这咱电路虽然可以，但不能直接将FET接于IO。

A。第二个问题。（仍由你的叙述设想），同第一个问题

A 。 关于PMOS管输入是正或负的电压。这是由它的导电类型及制作方法共同决定的。即：

要区分增强型、耗尽型；P沟道、N沟道

　 　 断开的电压(高电平) Vgs 导通的电压(低电平) Vgs 　 电源类型 电压区间(S极) 1.8 3.3 0 选择Vgs(th)结论 锂电池电压 3.2 0.1 -3.2 >=-2v
>=-3v 更好. 4.2 -0.9 -4.2 升压板电压 5 -3.2 -1.7 -5 >=-4v导通,
>=-5v更好 5.5 -3.7 -2.2 -5.5

原帖由 vcxz_1982 于 2012-6-8 08:49 发表

  ...

如果一个PMOS的手册, 这么写的.

Vgs(th): min= -2v, max= -4v;

 

那我将Vgs的压差(g<s) 分别控制在-1V -3V -5V, 这3种情况下谁会导通呢?

 

这里改用绝对值来表述不容易错。

假如 Vgs(th): |min|=2v，|max|=4v，测试条件|Id|=250μA;

那么

①．|Vgs|＜2V时，|Id|＜250μA，是否彻底截止另当别论；

②．2V≦|Vgs|≦4V时，|Id|说不清，开关电路应避免这种状态；

③．|Vgs|＞4V时，|Id|＞250μA，是否达到饱和另当别论

 

[ 本帖最后由 仙猫 于 2012-6-8 09:48 编辑 ]