PMOS防反设计参数电路

2019-03-26 18:46发布

最近设计要一个电路,过去由于不注意功耗都是用的二极管做防反接电路,从网上找了一个参考设计,但是不知道参数是否合适。请高手给点意见,芯币不多但是点心意。电路要求5V工作电压,最大2A电流,也就是10W功耗。



PMOS参数
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)        4A       
漏源电压(Vdss)                                12V       
栅源极阈值电压(最大值)                        1.4V @ 250uA       
漏源导通电阻(最大值)                        55 mΩ @ 3A,4.5V       
类型        P 沟道

SOT23-3封装
稳压二极管:
ON(安森美) 1SMA5919BT3G
精度        ±5%       
稳压值(典型值)                               5.6V       
反向漏电流                                       2.5uA @ 3V       
最大功率                                               1.5W


各位看看参数是否合适?给点意见。觉得芯币不够可以增加!
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6条回答
bigbat
1楼-- · 2019-03-27 00:12
设计参数选择计算依据:
PMOS开启电压4.5V > 5V;
PMOS Vdss 4A > 2A;
稳压二极管保护作用,不需要稳压。
稳压工作电压 5.6V > 5V  5%误差 最低5.32V > 5V,比较接近5V不会引起稳压二极管工作。
maychang
2楼-- · 2019-03-27 05:30
bigbat 发表于 2019-3-25 17:13
设计参数选择计算依据:
PMOS开启电压4.5V > 5V;
PMOS Vdss 4A > 2A;
稳压二极管保护作用,不需要稳压。 ...

首帖电路,当输入反接时(5V端成为电源负端),稳压二极管D1将使反接的电源短路,该稳压二极管估计立即烧毁,或者电源损坏。
bigbat
3楼-- · 2019-03-27 11:25
 精彩回答 2  元偷偷看……
maychang
4楼-- · 2019-03-27 12:21
bigbat 发表于 2019-3-25 18:22
如果将D1调整为Q1的后面,是不是就可以防止D1导通呢?主要是请各位看看参数是否合适。

"如果将D1调整为Q1的后面,是不是就可以防止D1导通呢?"

这样联接,当电源反接时D1当然不会烧毁,但D1也就失去了保护作用。
bigbat
5楼-- · 2019-03-27 17:59
 精彩回答 2  元偷偷看……
bigbat
6楼-- · 2019-03-27 19:00
最早的参考设计是这样的:


后来搞不明白R1和C1组成的积分电路,在电源反接时有一个脉冲,所以就选了这个电路:


开始加了一个稳压管,经老大@maychang 提示,改成上面样子。
请高手给点建议

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