lingking 发表于 2019-3-14 20:13
J4上面的电源线拔掉，那D1就通过R129和R131连接到地了，这时C74、C75这些电容通过这个路径放电，我是这么 ...

你看看这两个电阻的阻值，能是“快速泄放通路”么？MOS管里有个寄生二极管，应对这点放电电流充裕得很，扩展D1就毫无价值。如果有快速泄放回路，且放电电流超出了MOS管寄生二极管的载流能力才需要外扩。

lingking 发表于 2019-3-15 16:48
D1应该不会是多余的，这是个Arria 10主板上面的电源入口电路，大公司对成本抠得更严。虽然加入D1不会变得 ...

不是快不快的事情，很多情况不能只看器件模型，而要熟读熟记datasheet, 你注意到C73没有？它的作用是让MOSFET开得慢一些，电容充电太快的话MOSFET内部瞬间高热DS短路。
MOSFET体二极管的正向电流峰值仅标称Id的1-4倍（具体查规格书），时间不超过300uS，然二极管则是30倍10mS。

这是防止正常工作时，输入端短路造成P-MOS损坏用的，该不该加，看产品需求，看成本控制

PowerAnts 发表于 2019-3-16 21:29
这是防止正常工作时，输入端短路造成P-MOS损坏用的，该不该加，看产品需求，看成本控制

哦，原来如此。真没想到是防输入短路的，平时都默认这种事不会发生了，最多搞个防反接的电路

lingking 发表于 2019-3-16 22:49
哦，原来如此。真没想到是防输入短路的，平时都默认这种事不会发生了，最多搞个防反接的电路

这只是偶然事件，不过规范的电路是该考虑的，比如78XX的典型应用电路就在输入输出跨了一只二极管。
我的英文很差，也不想学。我并看不懂datasheet的英文描述，我只看懂并对比数据表就行了，做到这一点，已经秒杀绝大多数工程师了。