舒贤 发表于 2016-5-8 15:38
可是在按照芯片手册进行调试时，发现并不是期待的540驱动输出波形，而是直流电压

maychang 发表于 2016-5-8 16:39
SD引脚悬空等于接地。

连半桥一起测试，那就要加上9楼图中VCC和 up to 500V。但后一电压不必实际使用 ...

那个我是将VDD接5V，VSS接地，VCC接的是15V，自举电容接的是102，（顺便问一下IRF540充分导通时所需要的栅电荷Qg该怎样计算呀）,up to 500V那端接的是30V , To LOAD我是直接两端接在一起的，至于负载，还是不清楚接负载与否对电路的影响，所以我就没接，还请你多多指教，谢谢

舒贤 发表于 2016-5-9 19:52
那个我是将VDD接5V，VSS接地，VCC接的是15V，自举电容接的是102，（顺便问一下IRF540充分导通时所需要的 ...

顺便问一下为什么要计算MOS管导通时的Qg？

顺便说清楚Qg的意思Qg、Qgd是在设计高频应用中开关损耗的重要项目。如图a中，为达到指定的驱动电压Vgs值（图中xV），栅极的总充电电荷量，即为Qg；Qgd相当与米勒电容Crss，也是影响开关特性的重要参数。两个参数与Vds正相关，Qg与Vds依存关系如图b。驱动栅极的栅极峰值电流Ig(peak)和驱动损耗P(drive loss)可用下式计算：
        Ig(peak)=Qg/t        P(drive loss)=f*Qg*Vgs在高速开关的应用中，功率MOS的Rdson*Qg的积越小，代表器件性能越好。