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求助！最近在做关于IR2110的半桥驱动电路（参考手册上提供的典型半桥驱动电路），可是在实际的制作过程中出现了以下一些问题，希望大神帮忙解答，谢谢！
1 .如何对电路进行原理上测试呀；
2 .HIN和LIN端口如何接入PWM分别控制两个MOS管工作；
3 .为什么在HO和LO输出为直流，HIN和LIN根本对电路没有作用；
此帖出自小平头技术问答
1 .如何对电路进行原理上测试呀；
2 .HIN和LIN端口如何接入PWM分别控制两个MOS管工作；
3 .为什么在HO和LO输出为直流，HIN和LIN根本对电路没有作用；
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半桥上管的驱动信号(HO端与VS端)相对于地(COM端)是“浮动”的，幅度可达数百伏，因而比较难测量，需要使用双踪示波器的两个探头读取其差，或者使用差分探头。如果没有这些仪器设备，则不必测量，只要上下MOS管联接处(负载上)以及半桥下管驱动信号正常即可判断工作大体正常。
另外，你始终未谈到HIN和LIN信号。这两个信号必须同时施加，绝对不能只施加一个，那样无法工作。而且HIN和LIN必须相位相差180度且留有死区(绝对禁止有重叠)。
“自举电容接的是102。”
自举电容容量与PWM频率有关，PWM频率低，自举电容容量就要大(其容量要能够使其存储的电荷够上管驱动几个开关周期使用)。102似乎太小了，增加两个数量级可能差不多。
测试时我是按照HIN和LIN相位相差180度接，但是死区这个该如何设置呀，死区时间又该怎样设置呀
后来我试着改接0.1uF电容，但是并没有起什么作用
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