2019-03-26 19:49发布
qwqwqw2088 发表于 2016-8-3 22:39 关于MOS管的防反电路,以前有讨论 http://bbs.eeworld.com.cn/forum. ... 4%BD%D3%B5%E7%C2%B7 还要这个 ...
dontium 发表于 2016-8-3 18:32 楼上说得很好,二极管是最好的选择,因为楼主的电源的变化的,对压降要求不苛刻。
maychang 发表于 2016-8-3 14:35 我觉得,用一支萧特基二极管来防反接,是最好的方法。虽然压降比MOS管稍高,但成本比用MOS管低。
youn@g 发表于 2016-8-8 21:21 nmos管 将G S短接在一起,利用体二极管防反;
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谢谢 你的解答
请问 用那种二极管比较好呢
谢谢 你的解答
用体二极管,那可大大地不上算。
一来MOS管的体内二极管压降比萧特基二极管大得多,因而功率耗散也大。二来MOS管比萧特基二极管贵。
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