这个好像叫过冲
不知道你的MOS（IGBT）的开关速度能不能调整，如果可以调整的话试着减慢MOS的开启速度，就是让第二张图电压上升的速度减慢，波形减缓，IGBT不太了解，如果换成MOS，看到过冲我可能会试着增大栅极电阻，在效率和发热允许的情况下减慢MOS开启的速度
MOS开关速度慢，则发热大，效率低，但是过冲少，EMI表现比较好
MOS开关速度快，发热小，效率相对会高一点，但是会出现明显的过冲，EMI严重一些
以上一点拙见

一般IGBT电路采用抑制关断时的电压尖峰。
IGBT的尖峰有很多原因，楼主的开通瞬间不好判断。
如果是关闭时的电压尖峰，建议试制进行栅极驱动电阻变大,关断时间延长,电压尖峰变小。

我经常接触的是BUCK电路，phase冲的过高，一般加一个RC串联的Snabber电路，还有降低MOS开启速度，呵呵，拙见。