多谢指点，我回去再看看基础知识，好好思考下。非常感谢！

原帖由 仙猫 于 2012-5-15 16:43 发表   1、器件选型　D1：稳压管，选取稳定电压稍高于两电源的压差，使得FET在有12V时充分截止，无12V时充分导通。　D2：肖特基二极管，尽量选正向压降小的，因12V供电时要流过1A电流，用普通二极管的话压降太大 ...

 

“直接用稳压管降4V的办法不太合适，因为有1A电流流过，电路会发烫；”您提供的电路中D2应该也是要承受1A的电流的，也会发烫，这样的话岂不是和直接用稳压管一样了。

原帖由 仙猫 于 2012-5-15 21:25 发表   　继电器除机械触点寿命远不及半导体外，切换时的电源“瞬断”或“重叠”都可能对系统造成伤害，何况继电器在体积、成本较之半导体也不占优势。  

是的，首先体积就不合适我。

原帖由 yangxf1217 于 2012-5-16 09:59 发表

   “直接用稳压管降4V的办法不太合适，因为有1A电流流过，电路会发烫；”您提供的电路中D2应该也是要承受1A的电流的，也会发烫，这样的话岂不是和直接用稳压管一样了。

　串在直流里的元件/电路的耗散功率 P=电流×压降，直接用稳压管降4～5V的话，该管(或电路)将消耗4～5W功率发烫。
　但二极管的正向压降＜0.5V，耗散功率只有0.5V×1A=0.5W。这也是D2要选用肖特基二极管的原因，肖特基管的正向压降小。

我过去在163上有个文章，有电路，是关于这个问题的，你可以搜一下。