这两天，我手上拿到了一颗
STM32F103VGT6的
芯片，芯片的FLASH容量是1M字节。
在做调用STM32 闪存擦除指令时发现一个问题：
擦到0x808 0000时，会自动跳转到0x800 0000地址，觉得很奇怪。
也看了STM32的FLASH闪存编程手册，没有提到1024K大容量的信息，最多是512K的。
验证代码：
void EraseFPoApp(void)
{
u32 u32PageAdd=0;
FLASH_Unlock();
u32PageAdd = 0x8064000；
FLASH_ErasePage(u32PageAdd);
FLASH_Lock();
} 没问题，可以擦除这页的内容。
但是：
void EraseFPoApp(void)
{
u32 u32PageAdd=0;
FLASH_Unlock();
u32PageAdd = 0x8080000；
FLASH_ErasePage(u32PageAdd);
FLASH_Lock();
} 擦除的确是0x800 0000的内容。不知道为什么。
不知道有没有大神遇到过这类情况。还是本身，STM32就有针对VGT6的这个BUG存在。
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STM32F10x_XL devices feature up to 1 Mbyte with dual bank architecture for read-while-write (RWW) capability:
- bank1: fixed size of 512 Kbytes (256 pages of 2Kbytes each)
- bank2: up to 512 Kbytes (up to 256 pages of 2Kbytes each)
你确认下你的代码，估计你给的是BANK2的地址，操作的却是BANK1的 FLASH寄存器，二者是
不一样的。
标准库函数里用到一个宏STM32F10X_XL来区分不同的函数实现。
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