本人学习了好几天的FSMC，但是有几个疑虑希望各位大侠能解答一下 或者一起讨论 在下不胜感激。
问题一：在手册上提到模式A与模式1的区别是OE的变化及相互独立的读写时序。这里我不清楚的是相互独立是什么意思？
问题二：经常看到相关文档提到对于有些存储器，他们的读写时序相同时，就不用扩展模式？请问这个读写时序相同时怎么理解的，这个读写时序相同是不是存储器资料上已经定义好的？还是怎么样？这点一直蛮迷惑的！看了存储器的时序也没看明白怎么回事
问题三：FSMC的NADV引脚是做什么用的，什么时候要用到，（latch Enable(this signal is called address valid,NADV,by some nor flash device) 这句英语说到的是地址锁存（某些NOR FLASH设备把它称为地址有效信号），请问怎么就要涉及到地址锁存了，百思不得其解？？有好几个时序图都用到了（如模式2/B 模式C）。但有的又没有出现（如模式1）

求斑竹或者懂的人解答一下 不胜感激！


这个外设的读写时序相同要怎么去看？？ 一直没有搞明白！像模式A的时序图如下1 小时前 上传下载附件 (45.23 KB)
模式A读时序1 小时前 上传下载附件 (43.59 KB)
模式A写时序

比如我用的是板子，上面的外接SRAM芯片是IS61LV51216，
给的例程是用模式A，且关闭扩展模式。 p.FSMC_AccessMode = FSMC_AccessMode_A;
FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode = FSMC_ExtendedMode_Disable; //关闭Extend Mod
半小时前 上传下载附件 (12.68 KB)那为什么模式A下的FSMC—BCRX bitfiled 中的extmod设为1呢？这不是设置它采用扩展模式吗？这不是与关闭扩展模式相矛盾吗？
问题一 ：这是不是意味着IS61LV51216这个sram芯片的读写时序就是采用上图的模式A的读写时序？？
问题二：没有使用扩展模式，说明IS61LV51216芯片的读写时序时一致的，从模式A的读写时序也看不出他们的时序图是一样的？因为NOE 和NWE这两引脚明显不一样。这一点很困惑？不知道自己在理解读写一致是不是方向错了？
此帖出自小平头技术问答