本帖最后由 moyanming2013 于 2017-8-25 20:50 编辑

你也看到了，是在写/擦除（不是读）期间不能从flash读，执行完写/擦除以及平时代码执行时都是在读flash，所以没问题。

当正在执行写/擦除过程时，尝试对flash的读（比如中断来了CPU想尝试通过NVIC执行ISR时）会被阻塞，此时对代码的读取会阻塞，如果阻塞明显你会感觉到“卡”。除非把代码复制到RAM（编译前配置代码的位置到RAM空间）。但一般不会配置代码从RAM执行，此时代码的执行是在CPU内部，跟RAM无关。
如下图是典型的STM32 MCU系统架构内的flash接口连接图，指令总线直接从flash读取指令，一般不会把指令从flash搬到RAM，再从RAM搬到CPU进而再执行的（多此一举）。

楼主，你每次写内部flash数据量都很大（也就是时间会比较长）吗？如果比较大，比如好几个扇区，或许此时会对中断等产生影响。比如可以尝试在写之前暂时关闭中断。

擦除和写片内flash期间不能执行代码，操作完了就可以继续执行代码了。

谢谢楼上各位的帮助，我有些理解了。
我之前理解是“总线阻塞”是不能接受的，arm会挂掉，按照诸位的解释，“总线阻塞”仅仅是等待，就像是“堵车”一样，等等就好了，并不是“事故”
那么正确的理解是不是这样：
在写/擦除完成之前，如果有程序需要执行（事实上我认为一定有程序需要执行，因为即使是等待，或是查询flash的寄存器，也是需要执行代码的），那么会造成flash总线阻塞，此时所有的代码都无法执行，直到“阻塞”结束，arm再去执行下一条指令。