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STM32
请问如何用stm32cubemx设置FLASH读写配置?
2019-07-14 15:56
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STM32/STM8
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如何用
STM32
cubemx 设置 FLASH读写配置?
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8条回答
lihan19840814
1楼-- · 2019-07-14 21:38
内部flash
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吕少大大
2楼-- · 2019-07-14 23:51
lihan19840814 发表于 2018-11-19 17:18
内部flash
操作内部Flash,不用设置。直接参考CubeMX的FLASH例程就可以了。
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吕少大大
3楼-- · 2019-07-14 23:54
以F1为例,下周STM32Cube_FW_F1_V1.2.0库并解压,找到FLASH的例程,目录如下:
STM32Cube_FW_F1_V1.2.0ProjectsSTM32F103RB-NucleoExamplesFLASHFLASH_EraseProgram
用MDK打开相应工程,查看main函数代码就明白了。
例程的基本流程是,擦除几个块或者扇区,往里写数据,然后再读取出来验证写的是否都正确。
不过要注意的是,F4的FLASH和F1的FLASH结构有所不同,F1是以页为擦除单位,每页256字节,而F4则以扇区为擦除单位,而且扇区的大小是不一致的。
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lihan19840814
4楼-- · 2019-07-15 04:46
精彩回答 2 元偷偷看……
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lihan19840814
5楼-- · 2019-07-15 09:11
我用的是STM32L052
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cmh20
6楼-- · 2019-07-15 13:06
5楼正解
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操作内部Flash,不用设置。直接参考CubeMX的FLASH例程就可以了。
STM32Cube_FW_F1_V1.2.0ProjectsSTM32F103RB-NucleoExamplesFLASHFLASH_EraseProgram
用MDK打开相应工程,查看main函数代码就明白了。
例程的基本流程是,擦除几个块或者扇区,往里写数据,然后再读取出来验证写的是否都正确。
不过要注意的是,F4的FLASH和F1的FLASH结构有所不同,F1是以页为擦除单位,每页256字节,而F4则以扇区为擦除单位,而且扇区的大小是不一致的。
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