STM32

双库读写时是否在STM32L071中正常工作？

2019-07-14 17:15发布

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我正在尝试重新编程NVM（闪存库2），同时从STM32L071CB微控制器中的闪存库1运行代码。正如AN4808和AN4767所述，“存储器接口能够并行读取两个存储体，或者在写入另一个存储体时读取一个存储体 ......”，但我遇到了一些问题：
  • 调试显示闪存库2半页写入操作期间闪存状态寄存器中的FWWERR位变为高电平。这意味着由于代码获取，写入闪存库2已被停止。
  • 通过库1中的代码擦除库2可正常工作。
  • 库1中的代码通过单词bank2写入似乎正常工作（但我怀疑它是否只是巧合）。
  • 半页写入以FLASH_SR中设置的FWWERR位结束，并且我正在尝试写入的内存中为零。
我知道我错过了一些东西，但我找不到它是什么。也许有人有类似的问题？我开始认为微控制器有问题（勘误表指出了双库切换机制的一些问题，但在我的情况下它应该不是问题，因为我现在没有切换银行）。从RAM内存执行时，我的功能正常工作，但我宁愿它从闪存库1运行。下面的函数（1）负责写半页。代码（2）显示了我正在调用的方式（2）。（1）
  1. void nvm_prog_write_halfpages(uint32_t* addr, uint32_t* data, uint32_t length){

  3.     // There can't be any previous alignment errors in the flash SR
  4.     if ((FLASH->SR & FLASH_SR_PGAERR_Msk) == FLASH_SR_PGAERR){
  5.          FLASH->SR = FLASH_SR_PGAERR; // clear any previous alignment errors
  6.     }

  8.     // Check if any operation was stopped previously due to code fetching
  9.     if ((FLASH->SR & FLASH_SR_FWWERR_Msk) == FLASH_SR_FWWERR){
  10.         FLASH->SR = FLASH_SR_FWWERR; // clear any previous fetch related errors
  11.     }

  13.     nvm_prog_unlock();

  15.     FLASH->PECR |= FLASH_PECR_PROG | FLASH_PECR_FPRG;

  17.     uint32_t cnt = 0;
  18.     while (length > 0){
  19.         *addr = *data; // Destination address will be increased by the hardware automatically
  20.         data++;
  21.         cnt++;

  23.         // When a half-page has been written
  24.         if (cnt == 16){
  25.             while ((FLASH->SR & FLASH_SR_BSY_Msk) == FLASH_SR_BSY)
  26.                 ;
  27.             cnt = 0;
  28.             addr += 16; // Write the next half-page
  29.             length--;
  30.         }
  31.     }

  33.     FLASH->PECR &= ~(FLASH_PECR_PROG | FLASH_PECR_FPRG);

  35.     nvm_prog_lock();
  36. }
复制代码（2）
  1. nvm_prog_erase_page((uint32_t *) 0x08010000); // Erase flash bank 2; it starts at 0x08010000

  3. uint32_t dummydata[32], i;
  4. for (i=0; i<32; i++){
  5.     dummydata[i] = i;
  6. }

  8. nvm_prog_write_halfpages((uint32_t *) 0x08010000, &dummydata[0], 2); // Write 2 half-pages at the beginning of flash bank 2
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1条回答
adcmvp
1楼-- · 2019-07-14 23:18
Read-While-Write在多编程操作的情况下有一些限制。请参阅RM0377§3.3.4写入/擦除NVM - 闪存程序存储器页面82中的程序半页：

当半页操作开始时，存储器接口等待16个地址/数据，中止（带有硬故障）所有不是读取的读取访问（参见Fetch和prefetch）。提取将停止半页操作。存储器内容保持不变，FWWERR错误在FLASH_SR寄存器中设置。

这意味着闪存中不允许获取操作，同时向存储器接口提供16个字（无论代码在存储区1中运行，还是在存储区2中执行半页编程）。一旦将16个字发送到存储器接口，您就可以从闪存恢复​​执行，即在闪存库内物理写入数据期间（假设您的代码在另一个存储区中运行）。

简而言之，您需要从SRAM执行存储器接口的16个字的输入，并确保中断不会导致闪存中的取指（屏蔽所有中断或重新定位中断处理程序并中断SRAM中的向量）。

注意：单编程操作不存在此限制。

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