{var%20f='http://v.t.sina.com.cn/share/share.php?appkey=1515056452',u=z||d.location,p=['&url=',e(u),'&title=',e(t||d.title),'&source=',e(r),'&sourceUrl=',e(l),'&content=',c||'gb2312','&pic=',e(p||'')].join('');function%20a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=440,height=430,left=',(s.width-440)/2,',top=',(s.height-430)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent))setTimeout(a,0);else%20a();})(screen,document,encodeURIComponent,'','','https://www.xiaopingtou.cn/data/attach/logo/logo.png', '推荐 minjie69 的问题《STM32F101CB stop模式低功耗外界电源掉电后stm32 RAM保存内容丢失》','https://www.xiaopingtou.net/q-29099.html','页面编码gb2312|utf-8默认gb2312'));){kind=link}
现在调试STM32 stop模式低功耗 ，逻辑是：当外界电源掉电后电池供电，然后进入低功耗 ，当外界电源供电时 ，唤醒。附件见原理图。
说明：电池是3V纽扣电池，外界电源经过二极管后的电压（3.2V左右）会高于电池经过二极管后的电压。
现在有个问题，外界电源掉电后，stm32 RAM里面保存的内容丢失了，保存的数值放在一个数组里了，掉电后在进入stop模式前我查看数组都变成0了，但是如果在掉电后进入stop模式前这段时间里给变量赋值，上电唤醒后变量值就没发生变化。
所以我想问：电压跳变会影响到stm32的RAM值吗？还是说下电瞬间 电压波动（0.2V左右）、电流不足 这两种哪种会影响stm32的RAM？
另外我还有个其他疑问，如果用备份寄存器存储数据，并开启外界侵入检测功能。在只有Vbat供电的情况下，侵入检测还能发挥作用吗？如果Vdd存在的情况下，断开Vbat供电，备份区的数据会发生变化吗？
说明：电池是3V纽扣电池，外界电源经过二极管后的电压（3.2V左右）会高于电池经过二极管后的电压。
现在有个问题，外界电源掉电后，stm32 RAM里面保存的内容丢失了，保存的数值放在一个数组里了，掉电后在进入stop模式前我查看数组都变成0了，但是如果在掉电后进入stop模式前这段时间里给变量赋值，上电唤醒后变量值就没发生变化。
所以我想问：电压跳变会影响到stm32的RAM值吗？还是说下电瞬间 电压波动（0.2V左右）、电流不足 这两种哪种会影响stm32的RAM？
另外我还有个其他疑问，如果用备份寄存器存储数据，并开启外界侵入检测功能。在只有Vbat供电的情况下，侵入检测还能发挥作用吗？如果Vdd存在的情况下，断开Vbat供电，备份区的数据会发生变化吗？
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